壓力傳感器的截面結構圖，傳感器部分的結構。在壓力傳感器半導體硅片上有一層擴散電阻體，如果對這一電阻體施加壓力，由于壓電電阻效應，其電阻值將發生變化。受到應變的部分，即膜片由于容易感壓而變薄，為了減緩來自傳感器底座應力的影響，將壓力傳感器片安裝在玻璃基座上。 ---如圖2（b）所示，當向空腔部分加上一定的壓力時，膜片受到一定程度的拉伸或收縮而產生形變。壓電電阻的排列方法如圖3所示，受到拉伸的電阻R2和R4的阻值增加；受到壓縮的電阻R1和R3阻值減少由于各壓電電阻如圖4那樣組成橋路結構，如果將它們連接到恒流源上，則由于壓力的增減，將在輸出端獲得輸出電壓ΔV，ΔV的大小由下式決定： ---在（1）式中，當壓力為零時的ΔV等于偏置電壓Voffset,在理想狀態下我們希望Voffset=0V，實際上在生成擴散電阻體時，由于所形成的擴散電阻體尺寸大小的不同和存在雜質濃度的微小差異，因此總是有某個電壓值存在。壓力為零時，R1=R2=R3=R4=R，我們把加上一定壓力時R1、R2電阻的變化部分記作ΔR；相應R3、R4電阻的變化部分記作-ΔR，于是（1）式就簡化為下式： ---ΔV=ΔRI (2) ---這個ΔV相對壓力呈現幾乎完全線性的特性，只是隨著溫度的變化而有所改變。